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关键词 RESISTANCE（2）
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机构
作者 OTTO M（2）

The Dependence of the High-Frequency Performance of Graphene Field-Effect Transistors on Channel Transport Properties

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY

ASAD M, BONMANN M, YANG XX, VOROBIEV A, JEPPSON K, BANSZERUS L, OTTO M, STAMPFER C, NEUMAIER D, STAKE J

Low Resistive Edge Contacts to CVD-Grown Graphene Using a CMOS Compatible Metal

ANNALEN DER PHYSIK

SHAYGAN M, OTTO M, SAGADE AA, CHAVARIN CA, BACHER G, MERTIN W, NEUMAIER D