国家/地区 Italy（2）
关键词 BORON DOPING（2） MOBILITY GAP（2）
出版物
出版时间
机构 UNIV PISA（2）
作者 ROCHE S（2）

Effect of the Channel Length on the Transport Characteristics of Transistors Based on Boron-Doped Graphene Ribbons

MATERIALS

MARCONCINI P, CRESTI A, ROCHE S

Atomistic Boron-Doped Graphene Field-Effect Transistors: A Route toward Unipolar Characteristics

ACS NANO

MARCONCINI P, CRESTI A, TRIOZON F, FIORI G, BIEL B, NIQUET YM, MACUCCI M, ROCHE S