国家/地区 Usa（2）
关键词
出版物 APPLIED PHYSICS LET.（2）
出版时间 2011（3）
机构 UNIV FLORIDA（2）
作者 SCHUMANN T（3）

Influence of the silicon carbide surface morphology on the epitaxial graphene formation

APPLIED PHYSICS LETTERS

OLIVEIRA MH, SCHUMANN T, RAMSTEINER M, LOPES JMJ, RIECHERT H

Graphene/GaN Schottky diodes: Stability at elevated temperatures

APPLIED PHYSICS LETTERS

TONGAY S, LEMAITRE M, SCHUMANN T, BERKE K, APPLETON BR, GILA B, HEBARD AF

Tuning Schottky diodes at the many-layer-graphene/semiconductor interface by doping

CARBON

TONGAY S, SCHUMANN T, MIAO X, APPLETON BR, HEBARD AF