国家/地区 Singapore（2）
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机构 NATL UNIV SINGAPORE（2）
作者 SENGUPTA P（2）

Electronic ground state in bilayer graphene with realistic Coulomb interactions

PHYSICAL REVIEW B

LEAW JN, TANG HK, SENGUPTA P, ASSAAD FF, HERBUT IF, ADAM S

Interaction-Driven Metal-Insulator Transition in Strained Graphene

PHYSICAL REVIEW LETTERS

TANG HK, LAKSONO E, RODRIGUES JNB, SENGUPTA P, ASSAAD FF, ADAM S