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出版物 CARBON（2）
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机构
作者 SON JY（2）

Nanoscale resistive switching memory device composed of NiO nanodot and graphene nanoribbon nanogap electrodes

CARBON

KIM WH, PARK CS, SON JY

A nonvolatile memory device made of a graphene nanoribbon and a multiferroic BiFeO3 gate dielectric layer

CARBON

JUNG I, SON JY