国家/地区 Usa（2）
关键词
出版物 APPLIED PHYSICS LETTERS（2）
出版时间
机构 UNIV TEXAS A.（2）
作者 SONDE S（2）

Improvement of graphene field-effect transistors by hexamethyldisilazane surface treatment

APPLIED PHYSICS LETTERS

CHOWDHURY SF, SONDE S, RAHIMI S, TAO L, BANERJEE S, AKINWANDE D

Self-aligned graphene field-effect transistors with polyethyleneimine doped source/drain access regions

APPLIED PHYSICS LETTERS

MOVVA HCP, RAMON ME, CORBET CM, SONDE S, CHOWDHURY SF, CARPENTER G, TUTUC E, BANERJEEL SK