国家/地区 Japan（2）
关键词 HETEROSTRUCTURE（2）
出版物
出版时间
机构 UNIV TOKYO（2）
作者 TANIGUCHI T（2）

Electrically Inert h-BN/Bilayer Graphene Interface in All-Two-Dimensional Heterostructure Field Effect Transistors

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

UWANNO T, TANIGUCHI T, WATANABE K, NAGASHIO K

Fully dry PMMA transfer of graphene on h-BN using a heating/cooling system

2D MATERIALS

UWANNO T, HATTORI Y, TANIGUCHI T, WATANABE K, NAGASHIO K