国家/地区 China（2）
关键词
出版物
出版时间 2020（2）
机构 TIANJIN UNIV（2）
作者 WANG SJ（2）

Tunable and nonvolatile multibit data storage memory based on MoTe2/boron nitride/graphene heterostructures through contact engineering

NANOTECHNOLOGY

WU EX, XIE Y, WANG SJ, WU C, ZHANG DH, HU XD, LIU J

Multi-level flash memory device based on stacked anisotropic ReS2-boron nitride-graphene heterostructures

NANOSCALE

WU EX, XIE Y, WANG SJ, ZHANG DH, HU XD, LIU J