国家/地区 China（2）
关键词 SILICON（2）
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机构
作者 XU MS（2）

Illumination-Induced Hole Doping for Performance Improvement of Graphene/n-Silicon Solar Cells with P3HT Interlayer

ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS

XU DK, HE J, YU XG, GAO DC, MA LL, MU XH, ZHONG MY, XU Y, YE JC, XU MS, YANG DR

Direct Growth of Graphene Nanowalls on Silicon Using Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition for High-Performance Si-Based Infrared Photodetectors

ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS

CONG JK, KHAN A, LI JJ, WANG Y, XU MS, YANG DR, YU XG