国家/地区 Singapore（2）
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机构 NATL UNIV SI.（2）
作者 YAO K（2）

Graphene Field-Effect Transistors with Ferroelectric Gating

PHYSICAL REVIEW LETTERS

ZHENG Y, NI GX, TOH CT, TAN CY, YAO K, OZYILMAZ B

Gate-controlled nonvolatile graphene-ferroelectric memory

APPLIED PHYSICS LETTERS

ZHENG Y, NI GX, TOH CT, ZENG MG, CHEN ST, YAO K, OZYILMAZ B