国家/地区 China（2）
关键词 FIELDEFFECT TRANSISTOR（2）
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机构
作者 YU GH（2）

200 GHz Maximum Oscillation Frequency in CVD Graphene Radio Frequency Transistors

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

WU Y, ZOU XM, SUN ML, CAO ZY, WANG XR, HUO S, ZHOU JJ, YANG Y, YU XX, KONG YC, YU GH, LIAO L, CHEN TS

Field Effect Transistors and Low Noise Amplifier MMICs of Monolayer Graphene

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

YU C, HE ZZ, SONG XB, GAO XD, LIU QB, ZHANG YH, YU GH, HAN TT, LIU C, FENG ZH, CAI SJ