国家/地区 China（2）
关键词 STRAIN（2）
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机构
作者 ZHANG KL（2）

Schottky barrier modulation of a GaTe/graphene heterostructure by interlayer distance and perpendicular electric field

NANOTECHNOLOGY

LI HH, ZHOU ZP, ZHANG KL, WANG HY

Tunable gap opening and spin polarization of two dimensional graphene/hafnene van der Waals heterostructures

CARBON

ZHOU BZ, WANG XC, DONG SJ, ZHANG KL, MI WB