国家/地区 India（2）
关键词 DEVICE SIMULATION（2）
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机构
作者 PALLA P（2）

Bandgap engineered graphene and hexagonal boron nitride for resonant tunnelling diode

BULLETIN OF MATERIALS SCIENCE

PALLA P, UPPU GR, ETHIRAJ AS, RAINA JP

Improved logic performance with semiconducting graphene nano mesh double gate field effect transistor

INTERNATIONAL JOURNAL OF NANOTECHNOLOGY

PALLA P, ANSARI HR, RAINA G, WU WP