国家/地区 Germany（3）
关键词 DOPING（3）
出版物 2D MATERIALS（2）
出版时间 2014（2）
机构 TECH UNIV CH.（2）
作者 SEYLLER T（3）

Polarization doping of graphene on silicon carbide

2D MATERIALS

MAMMADOV S, RISTEIN J, KOCH RJ, OSTLER M, RAIDEL C, WANKE M, VASILIAUSKAS R, YAKIMOVA R, SEYLLER T

Quasi-freestanding epitaxial graphene transistor with silicon nitride top gate

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

WEHRFRITZ P, FROMM F, MALZER S, SEYLLER T

Work function of graphene multilayers on SiC(0001)

2D MATERIALS

MAMMADOV S, RISTEIN J, KRONE J, RAIDEL C, WANKE M, WIESMANN V, SPECK F, SEYLLER T