国家/地区 China（17） Korea（7） Australia（3） Uruguay（3）
Usa（3） India（2） Mexico（2） Qatar（2）
Russia（2）
关键词 DOPING（51）
出版物 PHYSICA ELOWDIMENSI.（4） CHEMICAL PHYSICS LE.（3） JOURNAL OF PHYSICSC.（3）
CHEMISTRYA EUROPEAN.（2） CHEMSUSCHEM（2） JOURNAL OF COMPUTAT.（2）
JOURNAL OF POWER SO.（2） MOLECULAR SIMULATIO.（2） NANO LETTERS（2）
PHYSICA STATUS SOLI.（2）
出版时间 2016（51）
机构 UDELAR（3） CHONBUK NATL.（2） HAMAD BIN KH.（2） SHANXI DATON.（2）
SUNGKYUNKWAN.（2） UNIV NACL AU.（2）
作者 DENIS PA（3） BERDIYOROV G.（2） DING BJ（2） GUO Y（2）
LEE S（2） WANG LH（2） XING LB（2） ZHANG J（2）
ZHANG ZZ（2） ZHAO JG（2）

Metal-free Si-doped graphene: A new and enhanced anode material for Li ion battery

JOURNAL OF ALLOYS COMPOUNDS

KONG XK

Effect and Mechanism of Separate Doping of Graphene and Ni and Their Co-doping on Dehydrogenation Properties of MgH2

RARE METAL MATERIALS ENGINEERING

SUN LQ, ZHANG J, ZHOU YC

Mono and dual doped monolayer graphene with aluminum, silicon, phosphorus and sulfur

COMPUTATIONAL THEORETICAL CHEMISTRY

DENIS PA

Review on carrier multiplication in graphene

PHYSICA STATUS SOLIDI BBASIC SOLID STATE PHYSICS

MALIC E, WINZER T, WENDLER F, KNORR A

Electronic properties of mutually embedded h-BN and graphene: A first principles study

CHEMICAL PHYSICS LETTERS

YU ZG, ZHANG YW

Negative differential resistance in new structures based on graphene nanoribbons

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS

SHARIFI M, AKHOUNDI E, ESMAILI H

Surface Functionalization of Single-Layer and Multilayer Graphene upon Ultraviolet Irradiation

SEMICONDUCTORS

LEVIN DD, BOBRINETSKIY II, EMELIANOV AV, NEVOLIN VK, ROMASHKIN AV, PETUHOV VA

Band gap engineering in penta-graphene by substitutional doping: first-principles calculations

JOURNAL OF PHYSICSCONDENSED MATTER

BERDIYOROV GR, DIXIT G, MADJET ME

Sulfur and few-layer graphene interaction under thermal treatments

CHEMICAL PHYSICS LETTERS

BAUTISTAFLORES C, ARELLANOPERAZA JS, SATOBERRU RY, CAMPS E, MENDOZA D

Control of device characteristics by passivation of graphene field effect transistors with polymers

CURRENT APPLIED PHYSICS

JANG G, YIM W, AHN YH, LEE S, PARK JY