国家/地区 Italy（2）
关键词 EPITAXIAL LAYER（2）
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Model of tunneling transistors based on graphene on SiC

APPLIED PHYSICS LETTERS

MICHETTI P, CHELI M, IANNACCONE G

Electrical properties of the graphene/4H-SiC (0001) interface probed by scanning current spectroscopy

PHYSICAL REVIEW B

SONDE S, GIANNAZZO F, RAINERI V, YAKIMOVA R, HUNTZINGER JR, TIBERJ A, CAMASSEL J