国家/地区 Usa（2）
关键词 FERMI LEVEL PINNING（2）
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机构
作者 WATANABE K（2）

Gate-Tunable Graphene-WSe2 Heterojunctions at the Schottky-Mott Limit

ADVANCED MATERIALS

LAGASSE SW, DHAKRAS P, WATANABE K, TANIGUCHI T, LEE JU

Imaging Reconfigurable Molecular Concentration on a Graphene Field-Effect Transistor

NANO LETTERS

LIOU F, TSAI HZ, AIKAWA AS, NATIVIDAD KC, TANG E, HA E, RISS A, WATANABE K, TANIGUCHI T, LISCHNER J, ZETTL A, CROMMIE MF