国家/地区 China（3）
关键词 FIELD EFFECT TRANSISTOR（3）
出版物 MICRO NANO LETTERS（2）
出版时间
机构 WUHAN UNIV（2）
作者 CHANG S（3）

Effects of vacancy defects on graphene nanoribbon field effect transistor

MICRO NANO LETTERS

CHANG S, ZHANG YJ, HUANG QJ, WANG H, WANG GF

Negative differential resistance in graphene nanoribbon superlattice field-effect transistors

MICRO NANO LETTERS

CHANG S, ZHAO L, LV YW, WANG H, HUANG QJ, HE J

Steep-Slope Transistors Based on Chiral Graphene Nanoribbons With Intrinsic Cold Source

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

YE SZ, WANG ZF, WANG H, HUANG QJ, HE J, CHANG S