国家/地区 China（2）
关键词 FIELD EFFECT TRANSISTOR（2）
出版物
出版时间
机构 TSINGHUA UNIV（2）
作者

Modeling and simulation of uniaxial strain effects in armchair graphene nanoribbon tunneling field effect transistors

APPLIED PHYSICS LETTERS

KANG JH, HE Y, ZHANG JY, YU XX, GUAN XM, YU ZP

Research progress of graphene radio frequency devices

ACTA PHYSICA SINICA

LU Q, LYU HM, WU XM, WU HQ, QIAN H