国家/地区 Germany（3）
关键词 FIELD EFFECT TRANSISTOR（3）
出版物
出版时间
机构 AMO GMBH（3）
作者 KURZ H（3） SZAFRANEK BN（3） NEUMAIER D（2） SCHALL D（2）

Current Saturation and Voltage Gain in Bilayer Graphene Field Effect Transistors

NANO LETTERS

SZAFRANEK BN, FIORI G, SCHALL D, NEUMAIER D, KURZ H

Electrical observation of a tunable band gap in bilayer graphene nanoribbons at room temperature

APPLIED PHYSICS LETTERS

SZAFRANEK BN, SCHALL D, OTTO M, NEUMAIER D, KURZ H

Mobility in graphene double gate field effect transistors

SOLIDSTATE ELECTRONICS

LEMME MC, ECHTERMEYER TJ, BAUS M, SZAFRANEK BN, BOLTEN J, SCHMIDT M, WAHLBRINK T, KURZ H