国家/地区 Usa（3）
关键词 FIELDEFFECT TRANSISTOR（4）
出版物 IEEE ELECTRON DEVIC.（2）
出版时间 2012（2）
机构
作者 BOL AA（4）

Three-Terminal Graphene Negative Differential Resistance Devices

ACS NANO

WU YQ, FARMER DB, ZHU WJ, HAN SJ, DIMITRAKOPOULOS CD, BOL AA, AVOURIS P, LIN YM

Double Contacts for Improved Performance of Graphene Transistors

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

FRANKLIN AD, HAN SJ, BOL AA, PEREBEINOS V

Effects of Nanoscale Contacts to Graphene

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

FRANKLIN AD, HAN SJ, BOL AA, HAENSCH W

Graphene devices with bottom-up contacts by area-selective atomic layer deposition

2D MATERIALS

THISSEN NFW, VERVUURT RHJ, MACKUS AJM, MULDERS JJL, WEBER JW, KESSELS WMM, BOL AA