国家/地区 France（2）
关键词 FIELDEFFECT TRANSISTOR（2）
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机构
作者 HAFSI B（2）

N-type polymeric organic flash memory device: Effect of reduced graphene oxide floating gate

ORGANIC ELECTRONICS

HAFSI B, BOUBAKER A, GUERIN D, LENFANT S, KALBOUSSI A, LMIMOUNI K

TCAD Simulations of graphene field-effect transistors based on the quantum capacitance effect

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY

HAFSI B, BOUBAKER A, ISMAIL N, KALBOUSSI A, LMIMOUNI K