国家/地区 Germany（3）
关键词 FIELDEFFECT TRANSISTOR（3）
出版物
出版时间
机构 AMO GMBH（2）
作者 NEUMAIER D（3）

High On/Off Ratios in Bilayer Graphene Field Effect Transistors Realized by Surface Dopants

NANO LETTERS

SZAFRANEK BN, SCHALL D, OTTO M, NEUMAIER D, KURZ H

Low Resistive Edge Contacts to CVD-Grown Graphene Using a CMOS Compatible Metal

ANNALEN DER PHYSIK

SHAYGAN M, OTTO M, SAGADE AA, CHAVARIN CA, BACHER G, MERTIN W, NEUMAIER D

Graphene-Based Microwave Circuits: A Review

ADVANCED MATERIALS

SAEED M, PALACIOS P, WEI MD, BASKENT E, FAN CY, UZLU B, WANG KT, HEMMETTER A, WANG ZX, NEUMAIER D, LEMME MC, NEGRA R