国家/地区
关键词 FIELDEFFECT TRANSISTOR（2）
出版物 NANOTECHNOLOGY（2）
出版时间 2017（2）
机构
作者

Scaling of graphene field-effect transistors supported on hexagonal boron nitride: radio-frequency stability as a limiting factor

NANOTECHNOLOGY

FEIJOO PC, PASADAS F, IGLESIAS JM, MARTIN MJ, RENGEL R, LI CF, KIM W, RIIKONEN J, LIPSANEN H, JIMENEZ D

Room temperature nanostructured graphene transistor with high on/off ratio

NANOTECHNOLOGY

DRAGOMAN M, DINESCU A, DRAGOMAN D