国家/地区 Germany（2）
关键词 FIELDEFFECT TRANSISTOR（2）
出版物
出版时间
机构 AMO GMBH（2）
作者 NEUMAIER D（2） OTTO M（2）

High On/Off Ratios in Bilayer Graphene Field Effect Transistors Realized by Surface Dopants

NANO LETTERS

SZAFRANEK BN, SCHALL D, OTTO M, NEUMAIER D, KURZ H

Low Resistive Edge Contacts to CVD-Grown Graphene Using a CMOS Compatible Metal

ANNALEN DER PHYSIK

SHAYGAN M, OTTO M, SAGADE AA, CHAVARIN CA, BACHER G, MERTIN W, NEUMAIER D