国家/地区 China（3）
关键词 FIRSTPRINCIPLE（3）
出版物
出版时间 2011（3）
机构 HENAN NORMAL.（3）
作者 DAI XQ（3）

Structures of Pt clusters on graphene doped with nitrogen, boron, and silicon: a theoretical study

CHINESE PHYSICS B

DAI XQ, TANG YN, DAI YW, LI YH, ZHAO JH, ZHAO B, YANG ZX

Effects of Vacancy and Boron Doping on Si Adsorption on Graphene

ACTA PHYSICOCHIMICA SINICA

DAI XQ, LI YH, ZHAO JH, TANG YN

Effect of vacancies and Si-dopant on In adsorption on graphene

NEW CARBON MATERIALS

DAI XQ, SUN YC, ZHAO JH, WEI SY