| 国家/地区 |
India（2）
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| 关键词 |
GALLIUM OXIDE（2）
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| 出版物 | |
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| 机构 | |
| 作者 |
Impact of p-Type NiO Pocket and Ultra-Thin Graphene Layer on the RF Performance of beta-Ga2O3 MOSFET
ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE TECHNOLOGY
YADAVA N, MANI S, CHAUHAN RK
MATERIALS LETTERS
SIVASANKARAN BR, BALAJI M