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China(2)
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GO(2)
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HEILONGJIANG UNIV(2)
作者
Graphene Oxide: Graphene Quantum Dot Nanocomposite for Better Memristic Switching Behaviors
NANOMATERIALS
LI L
Ternary Resistive Switching Memory Behavior in Graphene Oxide Layer
NANO
LU JG, SUN YM, WEN DZ
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