国家/地区 Usa（2）
关键词 GRAPHENE TRANSISTOR（3）
出版物 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS（3）
出版时间 2009（2）
机构
作者

Flexible Graphene Field-Effect Transistors With Extrinsic f(max) of 28

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

LAN Y, XU YH, WU Y, CAO ZY, CHEN TS, ZHOU JH, WU YQ, CHEN YF, YAN B, XU RM, LI YR

Graphene-on-Insulator Transistors Made Using C on Ni Chemical-Vapor Deposition

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

KEDZIERSKI J, HSU PL, REINA A, KONG J, HEALEY P, WYATT P, KEAST C

Flicker Noise in Bilayer Graphene Transistors

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

SHAO QH, LIU GX, TEWELDEBRHAN D, BALANDIN AA, RUNRYANTSEV S, SHUR MS, YAN D