国家/地区 China（2）
关键词 MOTE2（2）
出版物
出版时间 2020（2）
机构
作者

Tunable and nonvolatile multibit data storage memory based on MoTe2/boron nitride/graphene heterostructures through contact engineering

NANOTECHNOLOGY

WU EX, XIE Y, WANG SJ, WU C, ZHANG DH, HU XD, LIU J

Reconfigurable vertical field-effect transistor based on graphene/MoTe2/graphite heterostructure

SCIENCE CHINAINFORMATION SCIENCES

WANG C, PAN C, LIANG SJ, CHENG B, MIAO F