国家/地区 Usa（3）
关键词 NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE（3）
出版物 NANO LETTERS（2）
出版时间 2015（2）
机构 UNIV TEXAS AUSTIN（3）
作者 FALLAHAZAD B（3） KIM K（3） REGISTER LF（3） TANIGUCHI T（3）
TUTUC E（3） WATANABE K（3） BANERJEE SK（2） KANG S（2）
LEE K（2）

Coherent Interlayer Tunneling and Negative Differential Resistance with High Current Density in Double Bilayer Graphene-WSe2 Heterostructures

NANO LETTERS

BURG GW, PRASAD N, FALLAHAZAD B, VALSARAJ A, KIM K, TANIGUCHI T, WATANABE K, WANG QX, KIM MJ, REGISTER LF, TUTUC E

Bilayer Graphene-Hexagonal Boron Nitride Heterostructure Negative Differential Resistance Interlayer Tunnel FET

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

KANG S, FALLAHAZAD B, LEE K, MOVVA H, KIM K, CORBET CM, TANIGUCHI T, WATANABE K, COLOMBO L, REGISTER LF, TUTUC E, BANERJEE SK

Gate-Tunable Resonant Tunneling in Double Bilayer Graphene Heterostructures

NANO LETTERS

FALLAHAZAD B, LEE K, KANG S, XUE JM, LARENTIS S, CORBET C, KIM K, MOVVA HCP, TANIGUCHI T, WATANABE K, REGISTER LF, BANERJEE SK, TUTUC E