国家/地区 Taiwan（2）
关键词 SCHOTTKY BARRIER HEIGHT（3）
出版物 APPLIED SURFACE SCI.（2）
出版时间 2014（3）
机构 NATL CHANGHU.（2）
作者 LIN YJ（2）

Determination of Schottky barrier heights and Fermi-level unpinning at the graphene/n-type Si interfaces by X-ray photoelectron spectroscopy and Kelvin probe

APPLIED SURFACE SCIENCE

LIN YJ, ZENG JJ

Annealing effect on Schottky barrier inhomogeneity of graphene/n-type Si Schottky diodes

APPLIED SURFACE SCIENCE

LIN YJ, LIN JH

MoS2 Field-Effect Transistors With Graphene/Metal Heterocontacts

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

DU YC, YANG LM, ZHANG JY, LIU H, MAJUMDAR K, KIRSCH PD, YE PDD