国家/地区 France（2）
关键词 SCHOTTKYMOTT MODEL（2）
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机构
作者 DAU MT（2）

Charge transfers and charged defects in WSe2/graphene-SiC interfaces

NANOTECHNOLOGY

DAPPE YJ, ALMADORI Y, DAU MT, VERGNAUD C, JAMET M, PAILLET C, JOURNOT T, HYOT B, POCHET P, GREVIN B

Scanning tunneling spectroscopy of van der Waals graphene/semiconductor interfaces: absence of Fermi level pinning

2D MATERIALS

LE QUANG T, CHERKEZ V, NOGAJEWSKI K, POTEMSKI M, DAU MT, JAMET M, MALLET P, VEUILLEN JY