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关键词 SEMICONDUCTOR EPITAXIAL LAYER（2）
出版物
出版时间 2009（2）
机构
作者

Half integer quantum Hall effect in high mobility single layer epitaxial graphene

APPLIED PHYSICS LETTERS

WU XS, HU YK, RUAN M, MADIOMANANA NK, HANKINSON J, SPRINKLE M, BERGER C, DE HEER WA

Bias voltage induced n- to p-type transition in epitaxial bilayer graphene on SiC

PHYSICAL REVIEW B

GUO YF, GUO WL, CHEN CF