国家/地区 China（2）
关键词 SIC（2）
出版物
出版时间 2011（2）
机构 UNIV SCI TECHNOL CHINA（2）
作者

Direct Graphene Growth by Depositing Carbon Atoms on Si Substrate Covered by SiC Buffer Layers

ACTA PHYSICOCHIMICA SINICA

TANG J, KANG CY, LI LM, XU PS

Substrate induced bandgap in multilayer epitaxial graphene on the 4H-SiC (000(1)over-bar) surface

PHYSICA STATUS SOLIDI BBASIC SOLID STATE PHYSICS

CHEN M, SUN WL, GUO GC, HE LX