国家/地区 China（3）
关键词
出版物 JAPANESE JOURNAL OF.（2）
出版时间
机构 FUDAN UNIV（3）
作者 HU GX（3）

An analytical drain current model for graphene nanoribbon tunnel field-effect transistors

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

BAO JR, HU SY, HU GX, HU LG, LIU R, ZHENG LR

Quasi-Ballistic Transport Model for Graphene Field-Effect Transistor

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

HU GX, HU SY, LIU R, WANG LL, ZHOU X, TANG TA

Quasi-ballistic transport model for top- and back-gated graphene nanoribbon field-effect transistors

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

HU SY, HU GX, WANG LL, LIU R, ZHENG LR