国家/地区 China（3）
关键词 SCHOTTKY BARRIER HE.（2） VERTICAL STRAIN（2）
出版物
出版时间 2020（3）
机构 GUIZHOU UNIV.（2）
作者 LV B（3）

Van der Waals heterostructure of graphene and As2S3: Tuning the Schottky barrier height by vertical strain

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH

LIU XF, LV B, DING Z, LUO ZJ

The External Electric Field-Induced Tunability of the Schottky Barrier Height in Graphene/AlN Interface: A Study by First-Principles

NANOMATERIALS

LIU XF, ZHANG ZC, LV B, DING Z, LUO ZJ

A Highly Sensitive Piezoresistive Pressure Sensor Based on Graphene Oxide/Polypyrrole@Polyurethane Sponge

SENSORS

LV B, CHEN XT, LIU CG