| 国家/地区 |
China（2）
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| 关键词 | |
| 出版物 | |
| 出版时间 |
2013（2）
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| 机构 | |
| 作者 |
MA YG（2）
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The evolution of Raman spectrum of graphene with the thickness of SiO2 capping layer on Si substrate
APPLIED PHYSICS LETTERS
LIU C, MA YG, LI WS, DAI L
PROGRESS IN ELECTROMAGNETICS RESEARCHPIER
MADANI A, ZHONG SM, TAJALLI H, ENTEZAR SR, NAMDAR A, MA YG