国家/地区 China（2）
关键词
出版物 CHINESE PHYSICS B（2）
出版时间
机构 HEBEI SEMICOND RES INST（2）
作者 CAI SJ（2） FENG ZH（2） LI J（2） LIU QB（2）
YU C（2）

Effect of surface morphology on the electron mobility of epitaxial graphene grown on 0 degrees and 8 degrees Si-terminated 4H-SiC substrates

CHINESE PHYSICS B

LI J, WANG L, FENG ZH, YU C, LIU QB, DUN SB, CAI SJ

High temperature characteristics of bilayer epitaxial graphene field-effect transistors on SiC Substrate

CHINESE PHYSICS B

HE ZZ, YANG KW, YU C, LIU QB, WANG JJ, LI J, LU WL, FENG ZH, CAI SJ