国家/地区 China（2）
关键词 HYSTERESI（2）
出版物
出版时间 2013（2）
机构 PEKING UNIV（2）
作者

Substrate Engineering by Hexagonal Boron Nitride/SiO2 for Hysteresis-Free Graphene FETs and Large-Scale Graphene p-n Junctions

CHEMISTRYAN ASIAN JOURNAL

XU H, WU JX, CHEN YB, ZHANG HL, ZHANG J

Ultraviolet Irradiation-Controlled Memory Effect in Graphene Field-Effect Transistors

SMALL

MENG J, WU HC, CHEN JJ, LIN F, BIE YQ, SHVETS IV, YU DP, LIAO ZM