国家/地区 China（2）
关键词
出版物 CHINESE PHYSICS B（2）
出版时间
机构 HEBEI SEMICOND RES INST（2）
作者 LI J（2）

Effect of surface morphology on the electron mobility of epitaxial graphene grown on 0 degrees and 8 degrees Si-terminated 4H-SiC substrates

CHINESE PHYSICS B

LI J, WANG L, FENG ZH, YU C, LIU QB, DUN SB, CAI SJ

High temperature characteristics of bilayer epitaxial graphene field-effect transistors on SiC Substrate

CHINESE PHYSICS B

HE ZZ, YANG KW, YU C, LIU QB, WANG JJ, LI J, LU WL, FENG ZH, CAI SJ