国家/地区 Germany（2）
关键词 FIELD EFFECT TRANSISTOR（2）
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出版时间
机构
作者 LEMME MC（2）

Mobility in graphene double gate field effect transistors

SOLIDSTATE ELECTRONICS

LEMME MC, ECHTERMEYER TJ, BAUS M, SZAFRANEK BN, BOLTEN J, SCHMIDT M, WAHLBRINK T, KURZ H

Enhanced Intrinsic Voltage Gain in Artificially Stacked Bilayer CVD Graphene Field Effect Transistors

ANNALEN DER PHYSIK

PANDEY H, AGUIRREMORALES JD, KATARIA S, FREGONESE S, PASSI V, IANNAZZO M, ZIMMER T, ALARCON E, LEMME MC