国家/地区 Germany（5）
关键词 FIELD EFFECT TRANSI.（3） GRAPHENE（3） BILAYER GRAPHENE（2）
GRAPHENE DEVICE（2）
出版物 NANO LETTERS（2）
出版时间 2008（2）
机构 AMO GMBH（5）
作者 SZAFRANEK BN（5）

Current Saturation and Voltage Gain in Bilayer Graphene Field Effect Transistors

NANO LETTERS

SZAFRANEK BN, FIORI G, SCHALL D, NEUMAIER D, KURZ H

High On/Off Ratios in Bilayer Graphene Field Effect Transistors Realized by Surface Dopants

NANO LETTERS

SZAFRANEK BN, SCHALL D, OTTO M, NEUMAIER D, KURZ H

Electrical observation of a tunable band gap in bilayer graphene nanoribbons at room temperature

APPLIED PHYSICS LETTERS

SZAFRANEK BN, SCHALL D, OTTO M, NEUMAIER D, KURZ H

Nonvolatile switching in graphene field-effect devices

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

ECHTERMEYER TJ, LEMME MC, BAUS M, SZAFRANEK BN, GEIM AK, KURZ H

Mobility in graphene double gate field effect transistors

SOLIDSTATE ELECTRONICS

LEMME MC, ECHTERMEYER TJ, BAUS M, SZAFRANEK BN, BOLTEN J, SCHMIDT M, WAHLBRINK T, KURZ H