国家/地区 Germany（3）
关键词 RESISTANCE ANISOTROPY（3）
出版物
出版时间
机构 PHYS TECH BU.（3）
作者 AHLERS FJ（3） PIERZ K（3） SCHUMACHER H.（3） TEGENKAMP C（3）
APROJANZ J（2） BARINGHAUS J（2） DZIOMBA T（2） HOHLS F（2）
KRUSKOPF M（2） PAKDEHI DM（2） STOSCH R（2） WUNDRACK S（2）

Homogeneous Large-Area Quasi-Free-Standing Monolayer and Bilayer Graphene on SiC

ACS APPLIED NANO MATERIALS

PAKDEHI DM, PIERZ K, WUNDRACK S, APROJANZ J, NGUYEN TTN, DZIOMBA T, HOHLS F, BAKIN A, STOSCH R, TEGENKAMP C, AHLERS FJ, SCHUMACHER HW

Minimum Resistance Anisotropy of Epitaxial Graphene on SiC

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

PAKDEHI DM, APROJANZ J, SINTERHAUF A, PIERZ K, KRUSKOPF M, WILLKE P, BARINGHAUS J, STOCKMANN JP, TRAEGER GA, HOHLS F, TEGENKAMP C, WENDEROTH M, AHLERS FJ, SCHUMACHER HW

Epitaxial graphene on SiC: modification of structural and electron transport properties by substrate pretreatment

JOURNAL OF PHYSICSCONDENSED MATTER

KRUSKOPF M, PIERZ K, WUNDRACK S, STOSCH R, DZIOMBA T, KALMBACH CC, MULLER A, BARINGHAUS J, TEGENKAMP C, AHLERS FJ, SCHUMACHER HW