国家/地区 India（4）
关键词 1/F NOISE（2） GRAPHENE（2）
出版物 NANO LETTERS（4）
出版时间 2016（2）
机构 INDIAN INST SCI（4）
作者 GHOSH A（2）

External Bias Dependent Direct To Indirect Band Gap Transition in Graphene Nanoribbon

NANO LETTERS

MAJUMDAR K, MURALI KVRM, BHAT N, LIN YM

Seebeck Coefficient of a Single van der Waals Junction in Twisted Bilayer Graphene

NANO LETTERS

MAHAPATRA PS, SARKAR K, KRISHNAMURTHY HR, MUKERJEE S, GHOSH A

Tunability of 1/f Noise at Multiple Dirac Cones in hBN Encapsulated Graphene Devices

NANO LETTERS

KUMAR C, KUIRI M, JUNG J, DAS T, DAS A

Magnitude and Origin of Electrical Noise at Individual Grain Boundaries in Graphene

NANO LETTERS

KOCHAT V, TIWARY CS, BISWAS T, RAMALINGAM G, HSIEH K, CHATTOPADHYAY K, RAGHAVAN S, JAIN M, GHOSH A