国家/地区 Japan（3）
关键词 FET（3）
出版物 APPLIED PHYSICS EXP.（2）
出版时间 2020（2）
机构 UNIV TSUKUBA（3）
作者 GAO YL（2） MARUYAMA M（2） OKADA S（2）

Asymmetric carrier penetration into hexagonal boron nitride in graphene field-effect transistors

APPLIED PHYSICS EXPRESS

OKADA S, MARUYAMA M, GAO YL

Influence of interlayer stacking arrangements on carrier accumulation in bilayer graphene field effect transistors

APPLIED PHYSICS EXPRESS

GAO YL, MARUYAMA M, OKADA S

Characteristics of graphene FET directly transformed from a resist pattern through interfacial graphitization of liquid gallium

MICROELECTRONIC ENGINEERING

FUJITA JI, UEKI R, NISHIJIMA T, MIYAZAWA Y