国家/地区 Japan（3）
关键词
出版物 APPLIED PHYSICS LETTERS（3）
出版时间 2013（2）
机构 TOKYO INST TECHNOL（3）
作者 HATANO M（2） IWASAKI T（2） MATSUTANI A（2） TAHARA K（2）

Unipolar behavior in graphene-channel field-effect-transistors with n-type doped SiC source/drain regions

APPLIED PHYSICS LETTERS

NAGAHISA Y, HARADA Y, TOKUMITSU E

Asymmetric transport property of fluorinated graphene

APPLIED PHYSICS LETTERS

TAHARA K, IWASAKI T, FURUYAMA S, MATSUTANI A, HATANO M

Effect of radical fluorination on mono- and bi-layer graphene in Ar/F-2 plasma

APPLIED PHYSICS LETTERS

TAHARA K, IWASAKI T, MATSUTANI A, HATANO M