国家/地区 Japan（2）
关键词
出版物 APPLIED PHYSICS LETTERS（2）
出版时间 2013（2）
机构 TOKYO INST TECHNOL（2）
作者

Unipolar behavior in graphene-channel field-effect-transistors with n-type doped SiC source/drain regions

APPLIED PHYSICS LETTERS

NAGAHISA Y, HARADA Y, TOKUMITSU E

Asymmetric transport property of fluorinated graphene

APPLIED PHYSICS LETTERS

TAHARA K, IWASAKI T, FURUYAMA S, MATSUTANI A, HATANO M