国家/地区 Korea（2）
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机构 SAMSUNG ADV INST TECHNOL（2）
作者 BYUN KE（2）

Fabrication of Metal/Graphene Hybrid Interconnects by Direct Graphene Growth and Their Integration Properties

ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS

LEE CS, SHIN KW, SONG HJ, PARK H, CHO Y, IM DH, LEE H, LEE JH, WON JY, CHUNG JG, KIM C, BYUN KE, LEE EK, KIM Y, KO W, LIM HJ, PARK S, SHIN HJ

Graphene Barristor, a Triode Device with a Gate-Controlled Schottky Barrier

SCIENCE

YANG H, HEO J, PARK S, SONG HJ, SEO DH, BYUN KE, KIM P, YOO I, CHUNG HJ, KIM K