国家/地区 Korea（2）
关键词
出版物 MICROELECTRONIC ENGINEERING（2）
出版时间
机构 GWANGJU INST.（2）
作者 KANG CG（2）

Novel multi-bit memory device using metal/PVDF-TrFE/graphene stack

MICROELECTRONIC ENGINEERING

HWANG HJ, YANG JH, KANG SC, CHO C, KANG CG, LEE YG, LEE BH

Origin of the channel width dependent field effect mobility of graphene field effect transistors

MICROELECTRONIC ENGINEERING

LEE YG, LIM SK, KANG CG, KIM YJ, CHOI DH, CHUNG HJ, CHOI R, LEE BH